在材料科学与工程领域,对固体最外层几个原子层的化学成分进行精确剖析,是理解其性能、预测其行为的关键。实现这一目标的“三驾马车”是俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)。这三种技术都能对固体表面最外层的原子进行分析,但各自拥有独特的技术属性,使其在不同的分析领域中各领风骚。
这些技术均可与离子溅射技术联用,在分析的同时对表面进行逐层剥离,从而获得成分随深度变化的分布图。这种深度剖析的范围通常可达100 nm,必要时甚至可以延伸至1 μm或更深,其深度分辨率可逼近原子级别。在脑海中建立一些基本尺度是很有帮助的:单个原子层的厚度约为0.25 nm,每平方米包含约1.6 × 1019个原子(或每平方厘米1.6 × 1015个原子)。所有这些分析方法都要求将样品置于超高真空(UHV)系统中进行。理想情况下,系统的本底真空度应为10-8 Pa(约10-10 Torr),但在处理快速进样或易放气样品时,真空度可能会降至10-5 Pa(约10-7 Torr)。因此,所有待测样品必须是能够兼容真空环境的固体材料。
在深入探讨每种技术的基本原理之前,我们先对其核心特性进行一个纲要性的对比,以便研究人员能根据具体需求快速锁定最适合的方法。
AES采用聚焦电子束作为激发源。在最新的仪器中,其空间分辨率可以达到甚至优于5 nm。这使得AES成为一种强大的元素分析工具,检测限可达0.1%。然而,极高的空间分辨率与高检测灵敏度通常难以兼得。追求更高的空间分辨率,意味着电子束在样品上的能量密度(注量)会急剧升高,这就要求样品本身足够“皮实”。因此,金属、氧化物、半导体以及部分陶瓷是AES的理想分析对象。即便如此,在高通量电子束的持续轰击下,化合物表面也可能发生分解或被刻蚀。AES也能提供化学键合信息,但其谱峰复杂,远不如XPS直观易解。
与AES相比,XPS的谱峰更简单,这使得其定量分析通常更为准确,化学位移也更清晰易辨。其检测限与AES相当,但在空间分辨率上则逊色不少,即便是顶级设备,其最佳空间分辨率通常也仅在5 μm左右。由于XPS使用的带电粒子通量较低,它在分析陶瓷、聚合物等绝缘体材料时比AES更具优势。不过,如果分析任务强制要求空间分辨率优于5 μm,那么通常还是得回到AES,并采取额外的措施来规避荷电效应或样品损伤问题。
对于成分变化发生在最外层8 nm以内的薄层结构,可以利用XPS或角分辨XPS(ARXPS)获取其层状信息。如果成分变化发生在更深的区域,则需要采用溅射深度剖析,通常与AES联用,或在特定情况下(如为了获取更清晰的化学态信息)与XPS联用。AES的溅射过程通常是原位进行的,而XPS则可以在原位或在相连的真空腔室中进行。
要精确控制这些分析过程中的潜在问题,如荷电效应或电子束损伤,并获得可靠的定量和定性结果,往往需要深厚的实践经验和标准化的操作流程。这正是专业检测实验室的核心价值所在。
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当分析需求转向更高的检测灵敏度时,例如在半导体制造中研究掺杂剂的分布,SIMS便成为不二之选。现代SIMS仪器的空间分辨率约为100 nm,但其在半导体领域的杀手锏是其惊人的检测能力,可以探测到低至0.01 ppm(百万分之0.01)的痕量元素。SIMS的离子产额对样品基体非常敏感,这使得当元素浓度高于1%时,准确定量变得异常困难。但在稀疏体系中,离子强度与成分浓度成正比,这让SIMS在痕量分析领域占据了主导地位。通过质谱仪,SIMS能够区分不同同位素,这为利用同位素标记进行高精度的扩散研究开辟了广阔的应用空间。
上述讨论主要针对动态SIMS(d-SIMS)。SIMS还有另一种模式——静态SIMS(s-SIMS),它专注于最外表层的分析。s-SIMS能够提供XPS无法企及的复杂分子结构信息,尽管目前尚不普及,但其在未来的应用前景十分广阔。
下图(图1)和下表(表1)直观地展示了这些主流技术与其他表面分析方法在空间分辨率和可获取信息方面的对比,有助于将它们置于更广阔的技术图景中进行考量。
图1. 多种表面分析方法的分辨率与信息内容对比图。(STM = 扫描隧道显微镜, AFM = 原子力显微镜, TEM = 透射电子显微镜, PEELS = 平行电子能量损失谱, SNOM = 扫描近场光学显微镜, μTA = 微区热分析, EPMA = 电子探针显微分析)
表1. 表面分析方法选型指南
特性 | AES | XPS | 动态 SIMS | 静态 SIMS |
---|---|---|---|---|
配置 | 传统 / 高能量分辨率 | 传统 / 成像 | 成像 / 深度剖析 | 气源 / 液态金属离子源 |
最佳空间分辨率 | 5 nm | 2 μm (成像) / 20 μm (传统) | 50 nm (成像) / 50 μm (深度剖析) | 80 nm (液态金属) / 5 μm (气源) |
最佳深度分辨率 | 0.3 nm | 0.3 nm | 0.3 nm | 0.3 nm |
近似灵敏度 | 0.5% - 1% | 1% - 3% | 0.01 ppm | 0.01% |
典型信息深度 | 10 nm | 10 nm | 3 nm | 0.5 nm |
无法分析的元素 | H, He | H, He | 无 | 无 |
信息类型 | ||||
元素分析 | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
同位素分析 | ✓ | ✓ | ||
化学态分析 | ✓ (高能分辨) | ✓ | ✓ | |
分子信息 | ✓ (部分) | ✓ | ||
适用材料 | ||||
金属 | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
半导体 | ✓ | ✓ | ✓ | ✓ |
绝缘体/陶瓷 | ✓ | ✓ | ✓ | |
聚合物/有机/生物 | ✓ | ✓ |
这些分析技术自20世纪60年代末以来已在工业界和学术界得到广泛应用。但直到近年,高通量、高可靠性的商业仪器才逐渐普及,同时,支持分析人员工作的配套基础设施也日趋完善。
分析方法的规范化工作始于美国材料与试验协会(ASTM)。十多年前,国际标准化组织(ISO)成立了表面化学分析技术委员会(TC201),标志着全球范围内的标准化活动正式启动。一致性的工作流程依赖于成文的标准,而定量的准确性则取决于精确的数据和可溯源的测量标准。这需要有参考数据库、标准操作规程和有证标准物质(CRM)。例如,ISO 18115标准及其修订版中定义了超过400个表面分析领域的术语,另有300个术语正在起草中。本文中使用的术语均与该国际标准保持一致。
表2. 已发布的ISO TC 201表面化学分析相关标准(部分)
编号 | ISO 标准号 | 标题 (SCA = 表面化学分析) |
---|---|---|
1 | 14237 | SCA – 二次离子质谱法 – 使用均匀掺杂材料测定硅中硼的原子浓度 |
2 | 14606 | SCA – 溅射深度剖析 – 使用层状体系作为参考材料进行优化 |
3 | 14975 | SCA – 信息格式 |
4 | 14976 | SCA – 数据传输格式 |
5 | 15472 | SCA – X射线光电子能谱仪 – 能量标的校准 |
6 | TR 15969 | SCA – 深度剖析 – 溅射深度的测量 |
7 | 17560 | SCA – 二次离子质谱法 – 硅中硼的深度剖析方法 |
8 | 17973 | SCA – 中等分辨率俄歇电子能谱仪 – 用于元素分析的能量标校准 |
9 | 17974 | SCA – 高分辨率俄歇电子能谱仪 – 用于元素和化学态分析的能量标校准 |
10 | 18114 | SCA – 二次离子质谱法 – 利用离子注入参考材料测定相对灵敏度因子 |
11 | 18115 | SCA – 词汇 |
12 | 18115 Amd1 | SCA – 词汇(修订1) |
13 | 18116 | SCA – 用于分析的样品制备和安装指南 |
14 | 18118 | SCA – AES和XPS – 使用实验测定的相对灵敏度因子对均匀材料进行定量分析的指南 |
15 | 19318 | SCA – XPS – 荷电控制和荷电校正方法报告 |
16 | TR 19319 | SCA – AES和XPS – 横向分辨率、分析区域和分析器视场面积的测定 |
17 | 20341 | SCA – SIMS – 使用多层δ掺杂参考材料估算深度分辨率参数的方法 |
18 | 21270 | SCA – XPS和AES能谱仪 – 强度标的线性度 |
19 | 22048 | SCA – 静态二次离子质谱法的信息格式 |
20 | 24236 | SCA – AES – 强度标的重复性和恒定性 |
21 | 24237 | SCA – XPS – 强度标的重复性和恒定性 |
接下来,我们将进一步探讨在AES、XPS以及动态和静态SIMS测量中需要关注的具体问题。
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