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热等静压（HIPing）涉及在高等静气压下加热一个组件，通常在100 MPa的数量级。为了使HIPing有效，组件的表面必须被密封。为了使HIPing 有效，部件表面必须密封。要做到这一点，可以通过预烧结达到封闭孔隙密度（通常密度为 0.95% 时，所有孔隙都是封闭的），或者封装在金属或玻璃罐中。
在可能的情况下，预烧结至闭孔密度是一种更为实用的策略。此外，热压工艺过程缓慢，不易实现自动化，而 HIP 工艺则不同，它可以作为一种大规模的批量生产工艺来进行，因为 HIP 炉中可 以 一 次 性装满大量的陶瓷部件。
热等静压（HIPing）是一种非常有效的后烧结工艺，是彻底消除孔隙和达到100% 密度的理想选择，而且晶粒长大的风险最低。就碳化硅而言，热等静压是将 DSSC 转变为完全致密的陶瓷而不会产生晶粒生长的理想方法。因此，对于碳化硅陶瓷而言，HIPing 通常是在 DSSC 组件上进行的后烧结工艺，通过预烧结达到闭孔密度。
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