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Weaver专利基本上接着Alliegro的工作，继续使用铝烧结助剂的方法，但是工作温度比Alliegro等人使用的要低得多 。
在Weaver专利中，SiC体由大约4.5μm的α-SiC粉末组成，含有0.5-5wt.%的铝烧结助剂，理想情况下是3wt.%的铝粉末。
粉末混合物在WC球磨机中磨，使用WC球，最多磨32小时（上限为60小时），在1夸脱（950毫升）容量的磨机中，转速为120 rpm。磨机的装料是200gSiC，6gAl粉末，400ml异丙醇。磨的目的是将SiC颗粒的表面涂上铝。磨制过程中，陶瓷混合物会有一些WC的污染。热压是在2075℃和18.6 MPa的条件下进行2分钟，然后在压力下冷却。人们认为Al进入了SiC晶格并改变了SiC的表面能，从而促进了烧结。在烧结产品中，无法检测到足够多的铝相，无论是氧化铝、碳化铝还是硅化铝，都无法解释添加的铝的数量。因此，人们推测所有的Al都已经进入了SiC晶格。虽然在烧结陶瓷中发现了WC的痕迹，其数量根据磨制时间的不同而不同，但是WC含量和SiC的强度之间没有相关性，所以人们认为WC的存在对SiC陶瓷没有显著影响。
为了消除WC的污染，Weaver专利还提出了一个新颖的建议，即在铝磨机中用铝磨球磨纯SiC粉末。当然，铝是一种软金属，而SiC是一种工业磨料，如果不进行最优控制，铝的数量很可能会变得过高，这可能会带来问题。
该专利报告了HPSC的室温弯曲强度高达900 MPa，1500℃时为300 MPa。弯曲强度与磨制时间相关，如图4所示。 Weaver专利声明结果：
密集的HPSC。
弯曲强度高于700 MPa，平均为900 MPa。
平均晶粒尺寸1-5 μm。
主要为α-SiC相。
0.5-5 wt.%的铝均匀分布并被嵌入到SiC晶体结构中。
除了WC杂质相外，没有第二相。
Svante Prochazka，最为人所知的是DSSC的发明者（，在1970年代初期提交了四项关于HPSC的专利：
1. 美国专利3,853,566，1974年（提交日期1972年12月21日）。原始的Prochazka HPSC专利，也是第一个提出硼-碳作为SiC烧结助剂的专利。
2. 美国专利3,960,577，1976年（提交日期1974年1月8日，申请号431,611）。用于EDM的B/Si3N4掺杂。
3. 美国专利3,968,194，1976年（最初提交日期1974年1月8日，申请号431,611，然后在1975年10月6日重新提交，申请号619,953，是序列号431,611的一个部分）。用于EDM的B/Si3N4掺杂。
4. 美国专利3,954,483，1976年（提交日期1974年1月8日，申请号431,729）。用于EDM的B/BN掺杂。
Alliegro的1956年的开创性的HPSC论文使用了α-SiC粉末，铝和铁作为烧结助剂，而Weaver只使用了铝作为烧结助剂。这项Prochazka的专利是首次报告使用硼作为HPSC的烧结助剂，可以是元素硼或硼碳化物。
Prochazka的原始HPSC专利具有历史意义，因为硼-碳范式，至今仍然占主导地位（通常是硼、碳和铝），就是从Prochazka的第一项HPSC专利开始的。
Prochazka的第一项HPSC专利中的HPSC具有以下特性：
基本上是β-SiC作为粉末。
0.5-3.0 wt.%的硼在亚微米（~0.1 μm）SiC粉末中。硼是以亚微米元素硼或亚微米硼碳化物的形式添加的。
对于硼＜0.5 wt.%，无法实现完全致密化。对于硼＞3 wt.%，会发生过度的晶粒生长，导致强度和抗氧化性能的降低。硼的最佳含量是1 wt.%。
热压在1900℃-2000℃，最佳为1950℃。
热压力35-70 MPa，最佳为70 MPa。
热压时间，10-30分钟，最佳为10分钟，也就是说，最佳条件是温度/压力的组合，使得在尽可能短的时间内实现接近100%的密度。
对于实心石墨模具，35 MPa是上压力限制。对于石墨纤维缠绕模具，70 MPa是上限。因此，石墨纤维缠绕模具是最佳的，但是价格昂贵。
气氛：惰性气体，可以是氩、氮或氦。
相：主要是β-SiC，晶粒边缘处大约有1 vol.%的SiO2。
在最佳条件下的密度大约为100%。
致密化开始于大约1600C，这是由压力杆的第一次可检测的移动所指示的。然而，在1900℃以下，无法实现足够的致密化。总是更喜欢高压/低温的组合，因为这有助于最小化晶粒生长。表2总结了一些热压的结果。
表2 热压的结果（根据Prochazka的第一项专利）
Prochazka推测硅是晶粒生长的原因，这是由于通常在SiC颗粒表面上发现的二氧化硅膜的还原。没有检测到基于硼的相，这表明硼与SiC形成了固溶体。
专利中的例子详细描述了以下两个过程：
(1) 硼碳化物烧结助剂
0.1 μm (18.2 m2 g-1) β-SiC粉末加3.5 wt.%亚微米B4C，加入100 mL水并通过在装有6.3 mm WC球的塑料罐中球磨进行混合。
混合物干燥，粉碎，并通过40目筛进行筛选以制备颗粒。
颗粒放置在25 mm直径的石墨模具中。
在1 Torr氩气氛围下，1950℃/35 MPa/30分钟进行热压。
在升温时在1700℃施加全压，在冷却时在1700C放松。
结果的HPSC：密度99%，平均晶粒尺寸4μm，室温弯曲强度550 MPa。
(2) 硼烧结助剂
第二个例子涉及相同的粉末和粉末制备，但这次是1 wt.%亚微米非晶硼，而不是100 mL水，使用100 g四氯化碳作为悬浮液，混合时间为5小时。
粉末放置在石墨模具中，在1Torr氩气中感应加热至1750C，压力为7 MPa。
在1750℃时，压力增加到70 MPa。
在1950C/70 MPa/30分钟进行热压。
获得的密度大约为100%。
室温下的弯曲强度（MOR）为550 MPa，1600℃时为300 MPa，与Alliegro报告的MOR值相似。
在1620℃和172 MPa下的蠕变速率为1.5×10-9 cm·cm·s-1 21。
在1600℃的空气中的氧化速率为64小时内0.5 mg·cm-2的重量增加。
1974年1月8日，Prochazka提交了他的第二、第三和第四项关于HPSC的专利，所有这些都遵循了一个类似的概念：硼/氮化物掺杂以增强电导率，从而适用于电化学加工（ECM）和电放电加工（EDM）。专利名称“致密的多晶硅碳化物”。这再次涉及到硼烧结助剂。
Prochazka指出，使用硼作为烧结助剂的优点是，与其他可能的烧结助剂如Al2O3、AlN或其他金属化合物相比，硼提供了增强的氧化和腐蚀阻力。
Prochazka的第二和第三项HPSC专利，涉及到他的第一项HPSC专利的进一步创新步骤，即使用硼作为烧结助剂，并且还向SiC体中添加Si3N4，使SiC具有更高的电导率，从而适用于ECM/EDM。添加的硼的量为0.3-3 wt.%（作为硼或硼碳化物），Si3N4的量大约为5 wt.%。使用的SiC大约为2 μm。在例子中，添加了1 wt.%硼（2 μm非晶硼）和5 wt.% Si3N4，混合物在1950℃/70 MPa/30分钟的条件下进行热压，密度为98.9%。在第二个例子中，热压是在2000℃/70 MPa/30分钟。在2.5-5 wt.%的范围内添加Si3N4，电阻降低了5个数量级。EDM试验验证了这种HPSC对EDM的适应性。
Prochazka在第三项专利也与当天提交的其他两项专利有相同的标题：“致密的多晶硅碳化物”，它是BN，而不是Si3N4（0.7-3.5 wt.% BN），但是使用了类似的热压方法，并且提出了与当天提交的其他两项HPSC专利相同的目的：使SiC具有更高的电导率，从而适用于ECM/EDM。
Svante Prochazka提交了世界上第一项关于无压烧结致密SiC的专利，也被称为DSSC。
Hollenberg的发明被认为是理想的高温应用，如涡轮进口温度传感器、火箭喷嘴衬里、涡轮叶片和内燃机的防污燃烧器。它是第一项记录了用陶瓷纤维增强的SiC基体的生产，这是SiC-SiC（SiC基体由SiC纤维增强）先进航空复合材料的先驱。Hollenberg的专利可以简要地总结如下：
在1950℃-2250℃，27到41 MPa的条件下进行热压，使用感应加热的石墨模具，在真空或惰性气体氛围中进行，时间为10-20分钟。
α-SiC（7 μm）加1-5 wt.%硼粉末（5 μm）加碳。
碳有两种形式。要么是0.75-20 wt.%的切割碳纤维，直径为7 μm，长度大约为70 μm（长径比~10），要么简单地是0.75-20 wt.%的碳粉末。
碳抑制了晶粒生长。
碳纤维增强了强度。
HPSC的密度为98.5%。
XRD显示主要为α-SiC相，没有含硼的化合物，以及来自纤维的石墨。 Hollenberg和Crane专利[12]中报告的关键发现如图4.8所示。
1975年，Fred Lange的论文是LPS-DSSC发明的先驱。HPSC以Al2O3作为唯一的烧结助剂。亚微米（0.05 μm）Al2O3粉末，含量从0.01到0.15 vol.%，被添加到各种SiC粉末中，包括一个亚微米β-SiC粉末（0.5 μm和11-16 m2 g1）和四个微米级粉末，这些粉末是混合相的α/β-SiC：大约2、3.5、5和9 μm。SiC和Al2O3粉末通过球磨（WC球，塑料磨罐，甲醇悬浮液）混合，时间为16小时，这个混合/磨制过程大约将每种SiC粉末的平均颗粒尺寸减半。试验盘在70 MPa下冷压，密度大约为50%，然后在1950C到2200C的温度范围内，在真空或氮气下以28 MPa进行热压。热压时间通常为1小时，但在某些情况下为2甚至4小时。 只有以下的组合才能达到.99%的密度：
0.02 vol% Al2O3，在0.5 μm β-SiC粉末中，1950C-2050C下热压1小时。
0.02 vol% Al2O3，在2 μm α/β-SiC粉末中，1950C-2100C下热压1小时。 微观结构分析表明，发生了液相烧结机制，是20世纪末非常商业化的LPS-DSSC技术的先驱。
到了20世纪70年代末，SSiC-DSSC已经高度发展。此外，LPS-DSSC从20世纪80年代到21世纪初发展成为先进的技术。因此，到了20世纪末，DSSC已经使HPSC基本上成为过时的技术，因为DSSC不涉及热压的成本、复杂性和生产吞吐率。此外，DSSC能够比HPSC实现更大的形状复杂性。然而，从好的一面来看，DSSC在20世纪剩下的时间里被一大片专利束缚，而HPSC是公有领域的技术。此外，HPSC是，也仍然是，实现100%密度的近纯SiC多晶陶瓷，没有过度晶粒生长的唯一可行手段。
Carborundum公司的Murata等人在1977年3月提交了他们的HPSC专利，引入了另一种烧结助剂组合。这项专利的新颖之处在于，AlB2首次被报道为烧结助剂，按照SiC基础上的0.2-2.0 wt.%的顺序，理想情况下约为0.5 wt.%。此外，还使用了碳烧结助剂，使用的是酚醛树脂等有机源，或者是颗粒源，大约是AlB2的wt.%水平的1.5-5.0倍。SiC是亚微米（,0.5 μm）。关键的结果如下：
在氩气中，2100C/35 MPa/30分钟进行热压。
密度大约为100%。
弯曲强度500 MPa。
20世纪，Kriegesmann等人专利了0.1-0.4 wt.%的铝，作为金属粉末，或者作为AlN或AlP。需要注意的是，AlP是高度有毒的，需要小心使用。关键特性如下：
超细（7.6 m2 g21）α-SiC粉末。
Al、AlN或AlP烧结助剂，理想情况下为批量基础上的0.3-0.4 wt.% Al。
在2150℃/40 MPa/60分钟进行热压。
实现了99.8%的密度。
弯曲强度：室温660 MPa，1450C 600 MPa。
1991年，Kinoshita和Kubo提交了一项使用0.4-0.7 wt.%铝烧结助剂的HPSC专利，在1800℃-2100℃的温度和＞10 MPa的压力下，实现了99.9%的密度。HPSC的表面在抛光后的平均粗糙度小于＜2 nm。
到了20世纪90年代末，SiC防弹陶瓷成为了一个巨大的全球市场。
1993年，CerCom公司（后来被Coorstek收购）的Andre Ezis提交了一项关于热压SiC的专利，其中AlN是唯一的烧结助剂。SiC粉末是0.7 μm（13 m2 g21）α-SiC，掺杂了3 wt.% AlN。它在2000℃的温度下，只用20 MPa的压力进行了2小时的热压，达到了100%的密度（零可检测的气孔率）。结果的材料密度非常高，表现出晶间断裂模式，导致了更高的断裂韧性值，大约为4.5 MPa·m1/2。晶粒尺寸大约为2 μm，硬度大约为28 GPa。由于其高韧性、高硬度和零孔隙率，这种HPSC是一种出色的防弹陶瓷，在20世纪末和21世纪初，它成为了一种广泛使用和受到尊重的HPSC防弹陶瓷，被称为SiC-B，以及它的继任者，SiC-N。SiC-B/SiC-N是在全球防弹热潮开始的时候发明的，这就是为什么SiC-N在21世纪被认为是领先的SiC防弹陶瓷。
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