Alliegro 等人使用石墨模具和感应加热，在约 2500°C 和 70 MPa 的条件下，用 HPSC 粉末生产出高达 99.6% 密度的纯 SiC 陶瓷。关键的创新是使用 1% 重量的铝和 1% 重量的铁作为烧结助剂。他们尝试了许多其他烧结助剂：Mg、Ta、Co、Ba、Mo、W、Sr、Cu、Mn、Zr、B、Ni、Li、Ca、Cr、Fe 和 Al。研究发现，铝和铁的效果最好。最佳结果是 99.6% 致密（3.20 g/cm³，理论密度为 3.21 g/cm³）。使用 α-SiC 或 β-SiC，添加 1% 重量的铁和 1% 重量的铝，在 70 MPa 和 2454°C 下热压，可以形成高密度 HPSC。无论起始粉末是什么，最终的陶瓷总是纯 α-SiC。致密化结果如图1 所示。
需要注意的是，2454°C 是非常高的热压温度。今天，通过无压烧结，可以在低至 1900°C (LPS-DSSC) 和 2100°C (SSiC-DSSC) 的温度下生产致密 SiC。即使是今天仍然主要通过热压制造的碳化硼，通常也只在约 2300°C 的温度下热压，压力在 30-35 MPa 左右。
对于 1% 重量的铝添加，HPSC 的室温弯曲强度为 370 MPa，1371°C 时为 480 MPa。对于 5% 重量的铝，室温为 420 MPa，1371°C 时为 300 MPa。因此，更多的铝提高了室温强度，但降低了高温强度。有趣的是，如图 4.4 所示，发现 3 mol% 的硼添加是仅次于铁的第二有效烧结助剂（97% 致密）。3 mol% 的情况下没有报道铝，但在 1 mol% 的情况下，硼远远落后于铁（大约 85% 致密），而 1 mol% 的铁仍然是 98%。几十年后，硼与碳的组合，无论是否有铝，都将成为 SSiC-DSSC 的标准烧结助剂系统。
Alliegro 论文的其他重要发现是 ：
同时试验了 β-SiC（低温亚稳态立方晶型）和 α-SiC（高温六方晶型），发现 β-SiC 效果更好。
在所使用的极端温度/压力组合下，SiC 粒度并不是非常重要。烧结助剂是一个重要因素。使用 ,200 目 β-SiC (＜74 μm) 实现了 99.6% 的致密度。
使用 1% 重量的铁和 1% 重量的铝的最佳烧结助剂组合，可以在低至 40 MPa 的压力和低至 1982°C 的温度下实现超过 93.5% 的致密度。
没有烧结助剂，最高可达到的密度约为 85%。
断裂模量随温度升高而增加（1% 重量铝），随温度降低而降低（5% 重量铝）（图 3）。
图3 添加1~5%Al的热压碳化硅中断裂模量与温度的关系
