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HPSC在1956年被发明并在一篇论文中公开。HPSC在20世纪后期逐渐被DSSC取代。HPSC是通过HPSC粉末和烧结助剂在感应加热的石墨模具中致密化的。这是一个比无压烧结的“DSSC”更昂贵和复杂的制造过程。从根本上讲，HPSC和DSSC是相同的陶瓷，但HPSC是比DSSC更旧的技术，通过更复杂和昂贵的处理路线达到相同的结果，但有一个额外的好处，即在没有过度晶粒生长的情况下可以实现全密度，这是HPSC可以实现而DCCS不能实现的结果。因此，HPSC的方法在20世纪是通向发展无压烧结的近全密度SiC（DSSC）的途径上的一个垫脚石。所以，虽然HPSC现在越来越成为一种精品技术，但它在过去的半个世纪里形成了通向当代DSSC的重要步骤。
HPSC和DSSC陶瓷之间最显著的区别点如下：
关键优点
HPSC仍然是唯一能够在近纯SiC陶瓷中达到100%密度，而不会产生过度晶粒生长的过程。
热压可以在比DSSC更低的温度下实现全致密化，这使得可以用HPSC生产出比DSSC更细的SiC晶粒。这方面的最终例子是HIP-SiC，已经报道过HIP-SiC中的晶粒尺寸可以细到200 nm 。
HPSC本质上是在横向平面上的净形状。所有的收缩都是轴向的，而DSSC不是一个净形状的过程，它经历了烧结收缩。
• 超细SiC粒径对于成功的热压过程来说并不是必要的，而DSSC粒径绝对需要是超细的，表面积在10 m2g-1的数量级，粒径在亚微米级。这样的超细粉末的生产成本很高。
关键缺点
与 DSSC 相比，HPSC 的经济可行性要差得多，因为 HPSC 需要在非常高的温度下在石墨模具中进行热压，这需要更加昂贵和复杂的基础设施，而且热压模具的耗材成本很高。热压模具（通常由石墨制成）的制造成本很高。石墨模具可热压的形状有限。
HPSC 是一种热压工艺，与 DSSC 的简单无压烧结工艺相比，HPSC 从本质上更不适于进行具有成本效益的大规模生产，后者可以通过连续炉大规模生产系统完成。
尽管HPSC有其缺点，DSSC技术更简单，但HPSC在20世纪下半叶的大部分时间里仍然是商业制造高质量致密SiC的主导过程。事实上，在装甲领域，特别是在SiC-N中，HPSC直到现在仍然在商业上大量可用。
因此，尽管DSSC在21世纪已经成为市场主导的高质量SiC技术，但DSSC在20世纪后期没有像人们预期的那样快速取代HPSC，可能的驱动因素如下：
从最小气孔率、细晶粒尺寸和净形成型属性来看，HPSC的质量通常优于DSSC。
在20世纪后期，HPSC制造商大量投资于感应热压工业制造基础设施。然而，热压硼碳化物装甲陶瓷，使用与HPSC基本相同的基础设施，在那个时代的市场份额增长是以牺牲HPSC的市场份额为代价的，反映了热压基础设施的重新分配。
SSiC-DSSC在1990年代之前一直处于复杂的专利保护网之下。相比之下，HPSC在1956年的一篇全面的发表的论文中被完全公开，因此，从1956年开始，它是公有领域的技术。
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