到了20世纪80年代初，固态烧结碳化硅直接烧结碳化硅 (SSiC-DSSC) 技术基本上使用低于其在碳化硅中固溶限度的硼和/或铝烧结助剂，结合足够的游离碳作为二氧化硅膜上的氧气吸附剂。这些专利可以分为三类：
昂贵且稀有的微米级β-SiC，用硼和碳掺杂，数量级为1 wt.%（Prochazka）。
常见的廉价微米级α-SiC，用硼和碳掺杂，数量级为1 wt.%，其他硼化物和铍作为可能的替代烧结助剂（Coppola）。
常见的廉价微米级α-SiC，用铝和碳掺杂，数量级为1 wt.%（Schwetz）。
自1980年以来，有关碳化硅陶瓷的专利已超过100项，但只有少部分涉及SSiC-DSSC的合成。所有这些SSiC-DSSC专利的主要焦点都是Prochazka/Coppola/Schwetz及其共同发明人的1970年代SSiC-DSSC系统：微米级SiC掺杂硼、碳、铝，以及可能的铍或氮烧结助剂，其含量接近其在SiC中的固溶限度，通常约为1 wt.%，在无压下2000℃烧结。
1980年之后的专利大部分涉及微米级α-SiC，这是由Coppola开创并由Schwetz和Lipp巩固的实用的低成本路线。然而，仍然存在涉及微米级β-SiC的专利，这是Prochazka开创的昂贵且复杂的SSiC方法。β-SiC方法最终成为除特殊利基应用之外的所有应用的过时工艺，因为它无法与低成本α-SiC方法竞争，主要是由于合成微米级β-SiC的成本。但β-SiC SSiC-DSSC直到今天仍然是一个活跃的研究领域。
