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欧洲领先的陶瓷制造商 ESK 提交了一项 DSSC 专利从商业角度来看，这是当时最重要的专利，首次实现了 99% 密度的 DSSC。此外，99% 是使用 α-SiC 实现的。这是一种真正具有防护等级的 DSSC，由于它使用了 α-SiC，因此是一种低成本、经济实惠的 DSSC，这正是大型价格竞争激烈的全球防护行业所要求的。
此外，这是一个非常全面的、类似论文的专利，采用了 DSSC 的一种新方法。Schwetz 和 Lipp 注意到，使用硼和碳烧结助剂组合烧结 α-SiC、β-SiC 或 α-SiC/β-SiC 混合物，通常会导致粒度过度生长和相关的热强度差。理论上，可以通过精确的温度控制来控制这种情况，但是，在这种温度下，需要使用光学 pyrometer，非常不准确。Schwetz 和 Lipp 的关键发明步骤是将铝与碳结合起来作为 SSiC-DSSC 烧结助剂，使 SSiC-DSSC 具有增强的热强度，并且具有主要的晶内断裂机制。
相比之下，HPSC 具有晶间断裂模式，导致热强度较差，如图 6 所示。
具体来说，该发明涉及以下内容 ：
密度高达 99%。这使得 Schwetz 和 Lipp 专利成为当时最高水平的 DSSC 合成方法。
至少 95.4% 的 α-SiC 小于 1 μm，理想情况下为 10 至 20 m2/g-1，由研磨 100% 单相 α-SiC 的 Acheson SiC 制成。
通过 HF 和/或 HNO3 消化去除 SiC 中的氧，使其不超过 0.1 wt.%，理想情况下为 0.05 wt.%。
从 0.2 到 3.0 wt.% 的自由碳，理想情况下为 0.5 至 1.0 wt.%。
从 0.2 到 2.0 wt.% 的铝，理想情况下为 0.3 至 1.5 wt.%。
从 0 到 0.5 wt.% 的氮。
在 2000 至 2300 摄氏度下烧结。
α-SiC 具有均匀的微观结构和平均粒径小于 10 μm，以及粒度长宽比为 2:1 至 5:1。
晶内断裂模式。
至少在 1600 摄氏度下具有 500 兆帕的弯曲强度。
烧结后，铝、氮和氧大部分以固溶体的形式存在于 SiC 晶格中。无法检测到任何次生相。氧含量需要尽可能低，才能获得良好的热强度 。
铝和碳对于此工艺都是必不可少的，是关键的烧结助剂。单独使用，效果都远不如结合使用。在没有碳的情况下，仅使用铝仅能实现约 85% 的密度。此外，重要的是要确保碳不是以石墨的形式存在，因为石墨的反应性不足。碳需要是无定形的，例如碳黑，其表面积在 100 至 400 m2/g-1 范围内。更好的选择是使用酚醛树脂或沥青等有机碳前体。酚醛树脂的炭化率为 35% 至 50%，这使得它成为一种有吸引力的选择。
铝可以以 AlN 或 Al4C3 的形式添加 。应避免使用 Al2O3，因为氧会对 DSSC 造成问题。铝含量过高会导致氧化抗性能下降，3 wt.% 绝对过高，低于 0.3 wt.% 又无效，理想范围为 0.3-1.5 wt.%。铝添加剂应为亚微米级。
氮含量越高，电导率也越高。氮进入 SiC 晶格并对其进行“掺杂”，就像半导体 SiC 应用一样。因此，通过控制氮含量，可以将 SSiC-DSSC 的电导率调整到最终使用要求。例如，1.25 wt.% Al 和 2500 ppm 氮的电导率为 1.2 Ω·cm-1 (20°C)，而 0.60 wt.% Al 和 50 ppm 氮的电导率仅为 0.104 Ω·cm-1 (20°C)。
理论上，可以通过氮气氛烧结将氮引入 SSiC-DSSC，但这种方法难以精确控制氮掺杂，并且烧结温度也过高，因此效率低下。因此，如果需要氮掺杂，则优先使用 AlN，不需要时则使用 Al4C3。AlN 和 Al4C3 的混合物可以实现对氮含量的精细控制。
混合料最好采用湿混合，丙酮作为溶剂，尤其适用于使用酚醛树脂的情况。混合完成后，丙酮很容易蒸发。根据需要，还可以添加临时粘合剂，例如聚乙烯醇、硬脂酸或樟脑，其用量约为 SiC 重量的 1 wt.%。作为碳源，酚醛树脂还具有赋予高生坯强度的优点，在 80°C-150°C 固化后可进行生坯加工。
Schwetz 和 Lipp 方法的一个主要优势是，与硼/碳掺杂 SSiC-DSSC 相比，铝/碳掺杂 SSiC-DSSC 的烧结温度要求不那么严格 。硼/碳掺杂 SSiC-DSSC 的最佳烧结温度为 2060°C-2100°C，窗口非常窄。而铝/碳掺杂 SSiC-DSSC 的窗口更宽：2000°C-2300°C。需要注意的是，在如此高的温度下，使用光学高温计进行精确的温度监控存在问题，因此对烧结部件进行质量控制测试以优化工艺是明智之举。然而，铝/碳掺杂 SSiC-DSSC 具有更宽的烧结窗口，在这方面无疑更具工业实用性。
烧结始于 1600°C 以上，但如果烧结温度低于 2000°C，则难以达到 90% 以上的密度。烧结温度过高会导致晶粒粗化、SiC 挥发和分解。粗大的微观结构会降低强度。尤其要注意 2250°C-2300°C 的停留时间，2300°C 是绝对上限。典型的线性烧结收缩率为 15%-17%。使用 CO、H2、Ar 和 He 等惰性烧结气氛。如前所述，氮气不合适。也可以在部分真空下烧结，压力小于 20 mbar。
该专利指出，DSSC 优于 HPSC 的一个优势是，可以用推杆式或带式炉将部件穿过热区进行连续烧结，进料速度控制部件在热区的停留时间，从而通过连续操作实现大规模生产。停留时间主要取决于部件的尺寸和横截面积，以保持部件内的热梯度在一个安全水平。烧结时间会根据部件的尺寸而变化，从 10 到 60 分钟不等 。
1. 示例 1 ：
100 份 100% α-SiC 亚微米粉末，15.8 m2 g-1（平均粒径约 0.12 μm）。
2.5 份（1.5 wt.% Al）AlN 亚微米粉末，11.0 m2 g21。
3.5 份 novolak 酚醛树脂（约 1.0 wt.% C）。
约 100 份丙酮溶剂。
将浓稠浆料揉捏至干燥（约 60 分钟）。
在橡胶袋中以 200 MPa 进行等静压成型，生坯密度为 60%-62%。
在 1 atm 压力下，用流动氩气在 2150°C 下烧结 15 分钟。
烧成收缩率为 16%。
最终成分为 1.19 wt.% Al，0.25 wt.% N，0.04 wt.% O。
SiC 的平均粒径约为 5 μm，均匀分散的碳相尺寸约为 1 μm。
图 6 显示了抗弯强度与温度的关系，从 20°C 到 1600°C 约为 600 MPa。
密度为 98.3%，高于任何报道的硼/碳掺杂 SSiC-DSSC 的值。
1. 示例 2 至 5：
97% α-SiC; 3% β-SiC 混合物，19.3 m2 g21。
铝含量见表9。
A 组：碳以酚醛树脂形式添加 2 wt.%。
B 组：碳以 150 m2 g-1 的炭黑形式添加 2 wt.%。
C 组：不添加碳。
冷压成型，生坯密度约 60%。
在 1 atm 压力下，用流动氩气在 2150°C 下烧结 15 分钟。
表9 范例2-5的烧结密度
很明显，添加碳对于获得高密度结果是必不可少的，正如预期的那样，酚醛树脂是更好的碳源，因为它可以溶解在丙酮中，因此很容易混合，而且它是液体的，其炭化残留物具有非常高的表面积。最好的组合是纯铝与酚醛树脂，令人印象深刻的密度为 98.6%。
1. 示例 12 至 15：
α-SiC，粒径小于 3 μm（表面积未指定）。
1 wt.% 铝粉（粒径未指定）。
0.75 wt.% 碳（以酚醛树脂为碳源）。
试验了两种不同的烧结温度：2050°C 和 2250°C。
试验了两种不同的烧结气氛：1 atm 压力下的氩气和 13.3 mbar 真空。
结果见表 10。
表10 Schwetz 和 Lipp 专利中12-15示例的化学分析、烧结密度和抗折强度
结果表明，较低的烧结温度产生了略好的密度，而氩气在密度方面略优于真空。微观结构分析表明，与 2050°C 烧结相比，2250°C 烧结几乎没有粗化。
在 2050°C 常压氩气下达到的 98.9% 密度是当时报道的 DSSC 的最高密度。Prochazka 使用 β-SiC 达到的 98% 成就被 α-SiC 超越。
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